簡(jiǎn)要描述:易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)是利用導電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng) 接近開(kāi)關(guān)時(shí),使物體內部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開(kāi)關(guān),使開(kāi)關(guān)內部電路參數發(fā)生變化,由此識別出有無(wú)導電物體移近,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測的物體必須是導電體。這個(gè)外殼在測量過(guò)程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí),不論易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)是否為導體,由于它的接近,總要使電容的介電常數發(fā)生變化,從而使電容
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IFM接近開(kāi)關(guān)授權代理
易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)是利用導電物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng) 接近開(kāi)關(guān)時(shí),使物體內部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用到接近開(kāi)關(guān),使開(kāi)關(guān)內部電路參數發(fā)生變化,由此識別出有無(wú)導電物體移近,進(jìn)而控制開(kāi)關(guān)的通或斷。這種接近開(kāi)關(guān)所能檢測的物體必須是導電體。這個(gè)外殼在測量過(guò)程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開(kāi)關(guān)時(shí),不論易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)是否為導體,由于它的接近,總要使電容的介電常數發(fā)生變化,從而使電容量發(fā)生變化,使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化,由此便可控制開(kāi)關(guān)的接通或斷開(kāi)。這種接近開(kāi)關(guān)檢測的對象,不限于導體,可以絕緣的液體或粉狀物等。
IFM接近開(kāi)關(guān)授權代理
易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)兩個(gè)電極構成一個(gè)電容,串接在RC振蕩回路內。電源接通時(shí),RC振蕩器不振蕩,當一目標朝著(zhù)電容器的電靠近時(shí),電容器的容量增加,振蕩器開(kāi)始振蕩。 通過(guò)后級電路的處理,將振和振蕩兩種信號轉換成開(kāi)關(guān)信號,從而起到了檢測有無(wú)物體存在的目的。 該傳感器能檢測金屬物體,也能檢測非金屬物體,易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)對金屬物體可以獲得zui大的動(dòng)作距離,對非金屬物體動(dòng)作距離決定于材料的介電常數,材料的介電常數越大,可獲得的動(dòng)作距離越大。
IFM接近開(kāi)關(guān)授權代理
易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)(甚至透過(guò)非黑色金屬)響應于一個(gè)的磁場(chǎng)。作用距離大于電感接近開(kāi)關(guān)。響應曲線(xiàn)與磁場(chǎng)的方向有關(guān)。當一個(gè)目標(磁鐵或外部磁場(chǎng))接近時(shí),線(xiàn)圈鐵芯的導磁性(線(xiàn)圈的電感量L是由它決定的)變小,線(xiàn)圈的電感量也減小,Q值增加。激勵振蕩器振蕩,并使振蕩電流增加。當一個(gè)磁性目標靠近時(shí),磁式傳感器的電流消耗隨之增加。易福門(mén)IFM接近開(kāi)關(guān)利用光電效應做成的開(kāi)關(guān)叫光電開(kāi)關(guān)。將發(fā)光器件與光電器件按一定方向裝在同一個(gè)檢測頭內。當有反光面(被檢測物體)接近時(shí),光電器件接收到反射光后便在信號輸出,由此便可“感知”有物體接近。
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